FQI12N50TU
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQI12N50TU

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQI12N50TU-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Αποθέμα:

12849571
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQI12N50TU Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12.1A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
490mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-262 (I2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQI1

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF740ALPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
865
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF740ALPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQP16N25C

MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO4290A

MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO4456

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

onsemi

FDS9431A-F085

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC