FQE10N20LCTU
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQE10N20LCTU

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQE10N20LCTU-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3

Αποθέμα:

12849223
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQE10N20LCTU Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
12.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-126-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-225AA, TO-126-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQE1

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
60

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQPF3P50

MOSFET P-CH 500V 1.9A TO220F

onsemi

FDPF8N50NZ

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AON6362

MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOC2421

MOSFET P-CH 8V 2.5A 4ALPHADFN