FQD4N25TM-WS
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQD4N25TM-WS

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQD4N25TM-WS-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

12837044
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQD4N25TM-WS Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQD4N25

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FQD4N25TM_WSTR
2832-FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM-WSCT
2832-FQD4N25TM-WS-488
FQD4N25TM_WS-DG
2156-FQD4N25TM-WS-OS
FQD4N25TM_WS
FQD4N25TM_WSDKR-DG
FQD4N25TM-WSDKR
FQD4N25TM_WSDKR
ONSONSFQD4N25TM-WS
FQD4N25TMWS
FQD4N25TM_WSTR-DG
FQD4N25TM_WSCT
FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM_WSCT-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR214TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1947
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR214TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.48
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR214TRLPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR214TRLPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.48
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR214PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR214PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.55
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQD9N25TM

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

onsemi

FDP075N15A

MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3

onsemi

FDS5672_F095

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

onsemi

FQA7N90

MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P