FQB4N80TM
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQB4N80TM

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQB4N80TM-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

720 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12837758
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQB4N80TM Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQB4N80

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FQB4N80TMDKR
ONSONSFQB4N80TM
FQB4N80TMTR
FQB4N80TM-DG
FQB4N80TMCT
2156-FQB4N80TM-OS

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

ECH8315-TL-H

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH

onsemi

FDP5N50

MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3

onsemi

FDB15N50

MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK

onsemi

ECH8309-TL-H

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH