FQB11P06TM
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQB11P06TM

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQB11P06TM-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

RFQ Online
12838306
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQB11P06TM Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
175mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.13W (Ta), 53W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQB11P06

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FQB11P06TM
Φύλλα δεδομένων
FQB11P06
HTML Δελτίο δεδομένων
FQB11P06TM-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FQB11P06TM-DG
FQB11P06TMCT
FQB11P06TMDKR
FQB11P06TMTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z34STRRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
398
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z34STRRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z34STRLPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5359
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z34STRLPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.79
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z34SPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1625
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z34SPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.76
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FQB27P06TM
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
14
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FQB27P06TM-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.81
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQAF10N80

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF

onsemi

FQB34P10TM-F085

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

onsemi

FDMS86183

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

onsemi

FDMS86369-F085

MOSFET N-CH 80V 65A POWER56