Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQA8N90C-F109
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQA8N90C-F109-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Αποθέμα:
179 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12836996
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQA8N90C-F109 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2080 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
240W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PN
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQA8
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
FQA8N90C_F109
2832-FQA8N90C-F109-488
FQA8N90C_F109-DG
ONSONSFQA8N90C-F109
2832-FQA8N90C-F109
2156-FQA8N90C-F109-OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQD1N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
FQP20N06L
MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3
FDG326P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
