Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDZ3N513ZT-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Αποθέμα:
12838288
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDZ3N513ZT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
+5.5V, -0.3V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
85 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Body)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 125°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-WLCSP (0.96x0.96)
Συσκευασία / Θήκη
4-UFBGA, WLCSP
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDZ3N
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI8808DB-T2-E1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8727
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI8808DB-T2-E1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
