FDZ191P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDZ191P

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDZ191P-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1x1.5)

Αποθέμα:

12851197
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDZ191P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
800 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.9W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WLCSP (1x1.5)
Συσκευασία / Θήκη
6-UFBGA, WLCSP
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDZ191

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
FDZ191PDKR
FDZ191PCT
FDZ191PTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMCM4402UPEZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
16380
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMCM4402UPEZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IPB80N06S3L-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IRFP260MPBF

MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

onsemi

FQPF28N15

MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F

onsemi

FDB9403_SN00268

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK