FDY102PZ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDY102PZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDY102PZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 830mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

Αποθέμα:

71863 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850621
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDY102PZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
830mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 830mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
135 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
625mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-89-3
Συσκευασία / Θήκη
SC-89, SOT-490
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDY102

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-FDY102PZ-OS
FDY102PZDKR
FDY102PZCT
FDY102PZTR
FAIFSCFDY102PZ

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQD5N40TF

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

onsemi

FDMC8015L

MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP

onsemi

FQA90N08

MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN

onsemi

FQPF10N60CYDTU

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F