FDV302P_D87Z
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDV302P_D87Z

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDV302P_D87Z-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

12847128
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDV302P_D87Z Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
-8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDV30

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

HUFA76432P3

MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3

onsemi

HUFA76407D3S

MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA

onsemi

FDB110N15A

MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT470

MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220