FDU8874

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDU8874

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDU8874-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK

Αποθέμα:

RFQ Online

12850313

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDU8874 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

18A (Ta), 116A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

72 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2990 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

110W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

I-PAK

Συσκευασία / Θήκη

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDU88

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

1,800

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FQPF13N06

MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F

onsemi

FDB4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB

onsemi

FQB27P06TM

MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

onsemi

FDS7079ZN3

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO