FDT86113LZ

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDT86113LZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDT86113LZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Αποθέμα:

43059 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12849674

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDT86113LZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

3.3A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

6.8 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

315 pF @ 50 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.2W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SOT-223-4

Συσκευασία / Θήκη

TO-261-4, TO-261AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDT86113

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

4,000

Άλλα ονόματα

FDT86113LZDKR

FDT86113LZCT

FDT86113LZ-DG

FDT86113LZTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDP5800

MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3

FDC365P

MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6

onsemi

FDWS5360L-F085

MOSFET N-CH 60V 60A POWER56

AO4306

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC