FDT86106LZ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDT86106LZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDT86106LZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Αποθέμα:

22653 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848548
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDT86106LZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
108mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
315 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-4
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDT86106

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
FDT86106LZ-DG
FDT86106LZTR
FDT86106LZCT
2156-FDT86106LZ-OS
FDT86106LZDKR
ONSONSFDT86106LZ

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AON6264E

MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN

onsemi

FCU900N60Z

MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK

onsemi

FQPF6N90

MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F

onsemi

FDD8451

MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK