Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS8958B_G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS8958B_G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
12847201
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS8958B_G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.4A, 4.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
540pF @ 15V, 760pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS89
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDC6432SH
MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
FDW2508PB
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
MMDF3N04HDR2G
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8SOIC
