FDS8842NZ

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS8842NZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS8842NZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 40 V 14.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

4300 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12846581

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS8842NZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

40 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

14.9A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

73 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

3845 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.5W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SOIC

Συσκευασία / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDS8842

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

FDS8842NZTR

FDS8842NZCT

FDS8842NZDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FQP10N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3

onsemi

FDPF13N50FT

MOSFET N-CH 500V 12A TO220F

onsemi

CPH3360-TL-W

MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH

alpha-and-omega-semiconductor

AOB15S65L

MOSFET N-CH 650V 15A TO263