FDS86140
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS86140

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS86140-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 11.2A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

RFQ Online
12839677
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS86140 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2580 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS86

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FDS86140
Φύλλα δεδομένων
FDS86140
HTML Δελτίο δεδομένων
FDS86140-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS86140-DG
FDS86140TR
2156-FDS86140-488
FDS86140CT
FDS86140DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7854TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
16813
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7854TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.62
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7493TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4688
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7493TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.57
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS6P100BHTB1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2725
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS6P100BHTB1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.35
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7853TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11350
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7853TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.49
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDB9406-F085

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK

onsemi

HUF76439P3

MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

onsemi

FQPF34N20

MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F

onsemi

NVMFS5C423NLAFT1G

MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN