FDS7082N3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS7082N3

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS7082N3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 17.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Αποθέμα:

12837851
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS7082N3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2271 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO FLMP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS70

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS7082N3TR
FDS7082N3_NL
FDS7082N3_NLCT-DG
FDS7082N3_NLCT
FDS7082N3_NLTR-DG
FDS7082N3CT
FDS7082N3_NLTR
FDS7082N3CT-NDR
FDS7082N3TR-NDR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQA6N90

MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P

onsemi

FDC638P

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

onsemi

FDS4070N7

MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO

onsemi

FQPF27P06

MOSFET P-CH 60V 17A TO220F