Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS6982AS_G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS6982AS_G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
12838147
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS6982AS_G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®, SyncFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.3A, 8.6A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS69
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EMH2418R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A SOT383FL
FDMS3616S
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
FDMC8032L
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
