Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS6900AS
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS6900AS-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12849097
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS6900AS Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
PowerTrench®, SyncFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.9A, 8.2A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
600pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS69
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS6900ASTR
FDS6900ASCT
FDS6900ASDKR
2166-FDS6900AS-488
FDS6900AS-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6986AS
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6986AS-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.38
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMS9620S
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/10A 8MLP
AON6920_001
MOSFET 2N-CH 30V 15A/26.5A 8DFN
FDG6321C
MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
