FDS6676AS-G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS6676AS-G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS6676AS-G-DG

Περιγραφή:

30V N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 14.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

24005 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12975880
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS6676AS-G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2510 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
2832-FDS6676AS-GTR
2156-FDS6676AS-GTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

SCP114AMX180TCG

300 MA CMOS LDO, AD OPTION, VOUT

onsemi

FDMA8878-F130

30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC

onsemi

NTMFS4C805NT1G

TRENCH 6 30V NCH

onsemi

MCH3405-TL-E

NCH 1.8V DRIVE SERIES