Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS3890
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS3890-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 80V 4.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12848943
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS3890 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
44mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1180pF @ 40V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS38
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS3890CT
FDS3890DKR
FDS3890-DG
FDS3890TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7380TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7278
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7380TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.39
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN6040SSD-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12745
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN6040SSD-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
AO4862E
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
NDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
