FDS3580

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS3580

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS3580-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

9823 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12838142

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS3580 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

80 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

7.6A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1800 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.5W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SOIC

Συσκευασία / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDS35

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

FDS3580FSDKR

FDS3580FSCT

FDS3580-DG

FDS3580FSTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FQPF6N40CF

MOSFET N-CH 400V 6A TO220F

onsemi

FDN5618P_G

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

onsemi

FQA46N15

MOSFET N-CH 150V 50A TO3P

onsemi

FQB3P20TM

MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK