FDS3170N7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS3170N7

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS3170N7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Αποθέμα:

12839286
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS3170N7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2714 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO FLMP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS31

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS3170N7_NLTR
FDS3170N7CT-NDR
FDS3170N7DKR
FDS3170N7TR
FDS3170N7_NLTR-DG
FDS3170N7_NL
FDS3170N7_NLCT
FDS3170N7CT
FDS3170N7TR-NDR
FDS3170N7_NLCT-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS3672
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5020
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS3672-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FCP16N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

onsemi

FQD1P50TF

MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

onsemi

FDB7030BL

MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB

onsemi

FDMS4D4N08C

MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN