FDS2572
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS2572

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS2572-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 4.9A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

19251 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848563
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS2572 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
UltraFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS25

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS2572TR
FDS2572DKR
FDS2572CT
2156-FDS2572-OS

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDD14AN06LA0-F085

MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA

onsemi

NTTFS4943NTAG

MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN

infineon-technologies

IPD053N06N3GBTMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

onsemi

FQI5N50CTU

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK