Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS2170N7
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS2170N7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Αποθέμα:
12848986
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS2170N7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO FLMP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS21
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS2170N7CT-NDR
FDS2170N7_NLCT-DG
FDS2170N7_NLTR
FDS2170N7_NLTR-DG
FDS2170N7TR-NDR
FDS2170N7_NL
FDS2170N7_NLCT
FDS2170N7DKR
FDS2170N7CT
FDS2170N7TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS2672
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1825
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS2672-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
AO6415
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
