Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDR8308P
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDR8308P-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Αποθέμα:
12839701
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDR8308P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.2A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1240pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
800mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDR83
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDR8308P-DG
FDR8308PTR
FDR8308PDKR
FDR8308PCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC6306P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4981
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC6306P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDG6301N_D87Z
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
FDMC89521L
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
