Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDP2D3N10C
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDP2D3N10C-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
615 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12839321
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDP2D3N10C Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
222A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 700µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11180 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
214W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDP2D3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
2156-FDP2D3N10C-OS
ONSONSFDP2D3N10C
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDC2612_F095
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
FDT86246L
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
FDD86369-F085
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
