Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDP050AN06A0
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDP050AN06A0-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
6627 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12838136
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
YJcV
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDP050AN06A0 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
245W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDP050
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AUIRFS3004TRL
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3
FQP32N12V2
MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
FCB110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK