Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDP047N10
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDP047N10-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
917 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12836513
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDP047N10 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15265 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
375W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDP047
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
ONSONSFDP047N10
2156-FDP047N10-OS
2832-FDP047N10
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ATP208-TL-H
MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
FDPF045N10A
MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
