Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDP045N10A-F032
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDP045N10A-F032-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220
Αποθέμα:
12972969
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDP045N10A-F032 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
263W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
488-FDP045N10A-F032
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP4D5N10C
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
670
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP4D5N10C-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.68
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN2R0-60ES,127
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6407_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
