FDP030N06B-F102
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDP030N06B-F102

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDP030N06B-F102-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

725 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848326
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDP030N06B-F102 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8030 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
205W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDP030

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
2156-FDP030N06B-F102
FDP030N06B_F102-DG
FDP030N06B_F102

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AOB482L

MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263

alpha-and-omega-semiconductor

AON7430

MOSFET N-CH 30V 13A/34A 8DFN

onsemi

NTB23N03R

MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON7264E

MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN