FDN352AP
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDN352AP

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDN352AP-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

61417 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12849006
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDN352AP Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDN352

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDN352APTR
FDN352AP-DG
FDN352APDKR
FDN352APCT
2156-FDN352AP-OS
2832-FDN352APTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQP58N08

MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3

onsemi

FDT434P

MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4

alpha-and-omega-semiconductor

AO4404B

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF14N50

MOSFET N-CH 500V 14A TO220-3F