FDN338P_G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDN338P_G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDN338P_G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

12849757
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDN338P_G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
451 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDN338

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTR4101PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
88248
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTR4101PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AOB260L

MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263

alpha-and-omega-semiconductor

AOT288L

MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO220

onsemi

FCH170N60

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3

onsemi

FDD6N25TM

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK