FDN327N
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDN327N

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDN327N-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

24521 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12847354
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDN327N Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
423 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDN327

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FDN327N
Φύλλα δεδομένων
FDN327N
HTML Δελτίο δεδομένων
FDN327N-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDN327N-DG
FDN327NCT
FDN327NTR
FDN327NDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDS7064N7

MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SO

onsemi

FDN338P

MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3

onsemi

FDS4435A

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

onsemi

FDMA905P_F130

MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET