FDMT80060DC
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMT80060DC

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMT80060DC-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 43A (Ta), 292A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Αποθέμα:

11711 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850302
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMT80060DC Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Dual Cool™, PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
43A (Ta), 292A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 43A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
238 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
20170 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-Dual Cool™88
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMT80060

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMT80060DCCT
FDMT80060DCTR
FDMT80060DCDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FCPF22N60NT

MOSFET N-CH 600V 22A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AO4406AL

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

onsemi

FDI040N06

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

onsemi

FQD18N20V2TM

MOSFET N-CH 200V 15A DPAK