FDMT1D3N08B
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMT1D3N08B

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMT1D3N08B-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 164A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Αποθέμα:

2966 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12849734
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMT1D3N08B Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
164A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 36A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
19600 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
178W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-Dual Cool™88
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMT1D3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-FDMT1D3N08BCT
488-FDMT1D3N08BDKR
488-FDMT1D3N08BTR
FDMT1D3N08B-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQD20N06LTM

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

onsemi

FCPF290N80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220F

onsemi

FDS8670

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

onsemi

FCH077N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 54A TO247