FDMS86350ET80
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS86350ET80

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS86350ET80-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Αποθέμα:

19489 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12847722
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS86350ET80 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Ta), 198A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8030 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS86350

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS86350ET80TR
FDMS86350ET80DKR
2156-FDMS86350ET80-OS
FDMS86350ET80CT
ONSONSFDMS86350ET80

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDN336P-NL

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FDB075N15A_SN00284

MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

onsemi

FDWS9510L-F085

MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN

onsemi

NVMFS5844NLT3G

MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN