FDMS86252
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS86252

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS86252-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 4.6A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Αποθέμα:

3105 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850748
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS86252 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.6A (Ta), 16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
51mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
905 pF @ 75 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS86

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS86252CT
FDMS86252TR
2156-FDMS86252-OS
ONSONSFDMS86252
FDMS86252DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

HUF76419S3ST-F085

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

HUFA75645S3S

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON6782

MOSFET N-CH 30V 24A/85A 8DFN

onsemi

HUFA76619D3S

MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA