Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS86200DC
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS86200DC-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Αποθέμα:
12847666
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS86200DC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Dual Cool™, PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.3A (Ta), 28A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2955 pF @ 75 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.2W (Ta), 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS86200
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS86200DCTR
FDMS86200DC-DG
FDMS86200DCCT
2156-FDMS86200DC-488
FDMS86200DCDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC190N15NS3GATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9937
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC190N15NS3GATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.26
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTMFS4846NT1G
MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
IRFU120ATU
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
FDMS7650
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
