FDMS86104
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS86104

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS86104-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Αποθέμα:

RFQ Online
12836932
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS86104 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Ta), 16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
923 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 73W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS86

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FDMS86104
Φύλλα δεδομένων
FDMS86104
HTML Δελτίο δεδομένων
FDMS86104-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-FDMS86104-OS
ONSONSFDMS86104
FDMS86104CT
FDMS86104TR
FDMS86104DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC252N10NSFGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC252N10NSFGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STL40N10F7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5788
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STL40N10F7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.63
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC196N10NSGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
53243
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC196N10NSGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

2V7002KT1G

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23

onsemi

HUF75309P3

MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

onsemi

FCPF099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A TO220F

onsemi

HUF76629D3ST-F085

MOSFET N-CH 100V 20A TO252