Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS7602S
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS7602S-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 12A, 17A 1W Surface Mount Power56
Αποθέμα:
1180 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850341
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS7602S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A, 17A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1750pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Power56
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS7602
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS7602SCT
FDMS7602STR
FDMS7602SDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ECH8601M-P-TL-H
MOSFET 2N-CH ECH8
FDMS3604S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
AO4805L_101
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
