Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS3602S-P
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS3602S-P-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 25V 15A (Ta), 30A (Tc), 26A (Ta), 40A (Tc) 2.2W (Ta), 2.5W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Αποθέμα:
12787810
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS3602S-P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Standard
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Ta), 30A (Tc), 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27nC @ 10V, 64nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1680pF @ 13V, 4120pF @ 13V
Ισχύς - Μέγιστη
2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
2832-FDMS3602S-P
488-FDMS3602S-P
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
G120N03D32
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
WI62195
GANFET 2P-CH 750V 9A 14QFN
HT8KE5TB1
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT
