Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS3600AS
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS3600AS-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 25V 15A, 30A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56
Αποθέμα:
12839541
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS3600AS Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A, 30A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1770pF @ 13V
Ισχύς - Μέγιστη
2.2W, 2.5W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Power56
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS3600
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS3600ASTR
2832-FDMS3600ASTR
FDMS3600ASCT
FDMS3600ASDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EFC3C001NUZTCG
MOSFET 2N-CH 4WLCSP
FDMD8580
MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56
NX7002BKXBZ
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
