FDMS3572
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS3572

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS3572-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 8.8A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56

Αποθέμα:

8868 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12840465
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS3572 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
UltraFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 22A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2490 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MLP (5x6), Power56
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS35

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS3572TR
FDMS3572DKR
FDMS3572CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTMFS4C024NT3G

MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN

infineon-technologies

AUIRFS4310TRL

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

ECH8308-TL-H

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH

onsemi

HUFA76445S3S

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK