Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS1D2N03DSD
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS1D2N03DSD-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Αποθέμα:
12836922
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS1D2N03DSD Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS1D2N03DSDOSCT
FDMS1D2N03DSDOSDKR
FDMS1D2N03DSDOSTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
ECH8652-TL-H
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH
