Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMJ1032C
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMJ1032C-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET
Αποθέμα:
12837401
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMJ1032C Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.2A, 2.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
270pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
800mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-WFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-75, MicroFET
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMJ1032
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMJ1032CCT
FDMJ1032CDKR
FDMJ1032CTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK9K5R6-30EX
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
FDW2503N
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
EFC4627R-TR
MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
