Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMD8900
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMD8900-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Αποθέμα:
12836397
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMD8900 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
19A, 17A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2605pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
12-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
12-Power3.3x5
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMD89
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
FDME1024NZT
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDMC007N30D
MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
