FDMD85100

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMD85100

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMD85100-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 100V 10.4A POWER56

Λεπτομερής Περιγραφή:

Mosfet Array 100V 10.4A 2.2W Surface Mount Power56

Αποθέμα:

RFQ Online

12850250

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMD85100 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Διαμόρφωση

2 N-Channel (Half Bridge)

Δυνατότητα FET

-

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

10.4A

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

31nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2230pF @ 50V

Ισχύς - Μέγιστη

2.2W

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerWDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

Power56

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDMD85

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDMD85100DKR

FDMD85100CT

FDMD85100TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDS3912

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

onsemi

FDMD8260LET60

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

EFC2J013NUZTDG

MOSFET 2N-CH 6WLCSP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4840

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC