FDMC86116LZ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMC86116LZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMC86116LZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Αποθέμα:

4978 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12845206
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMC86116LZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
310 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.3W (Ta), 19W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MLP (3.3x3.3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMC86116

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMC86116LZ-DG
FDMC86116LZTR
FDMC86116LZCT
FDMC86116LZDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AO4415

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

infineon-technologies

AUIRLR024N

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT8N50

MOSFET N-CH 500V 8A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOI482

MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A