Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMC2610
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMC2610-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Αποθέμα:
5348 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12847165
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMC2610 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
UniFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
960 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MLP (3.3x3.3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMC26
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMC2610DKR
FDMC2610TR
2156-FDMC2610-OS
FDMC2610CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTGS3433T1G
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
